日本三级欧美三级人妇视频黑白配,日本三级香港三级三级人!妇久,日本三级欧美三级人妇视频_电影

  • <th id="hbqsn"><track id="hbqsn"></track></th>
      <s id="hbqsn"></s>

        常見問題   Support
        搜索   Search
        你的位置:首頁 > 常見問題

        POWER MOSFET與IGBT的區別

        2016-4-17 4:18:20      點擊:

        現今大功率MOSFET已成為大功率組件(POWER DEVICE)的主流,在市場上居于主導地位。以計算機為首的電子裝置對輕薄短小化以及高機能化的要求帶動POWER MOSFET的發展,此一趨勢方興未艾,技術之進步永無止境。在龐大計算機市場支撐之下,IC 開發技術人員在「大功率組件采用單晶IC(MONOLITHIC)技術」方面促成了MOS系大功率組件的突破。尤其是低耐壓大功率 MOSFET,隨者其母體“MOS IC”之集積度的提高而性能大增(雙極晶體管﹝BIPOLAR TRANSISTOR﹞無法達到)。大功率MOSFET的動作原理十分容易了解,適合于驅動電路及保護電路等制成IC。

        大功率組件(POWER DEVICE)不可避免地會發熱,在此情況下,POWER MOSFET的MOS(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR)系閘極(GATE)四周圍繞的絕緣膜(材質通常為SiO2)的質量決定其特性及可靠度。在組件技術及應用技術確立之時期,開發完成“AVALANCHE FET”并付諸生產,此種組件即使是在崩潰(AVALANCHE)之情況下也不會發生破壞。之后,大功率 MOSFET(POWER MOSFET)剩下的未解決課題是高耐壓化,1998年在市場嶄露頭角的“COOL MOS”將業界水平一舉提高至相當高的層次。AVALANCHE FET 及COOL MOS可以說是確定MOS系大功率組件之評價的兩大支柱。838電子

        在當初,IGBT(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)期待只將NCH POWER MOSFET 的基片(SUBSTRATE)的極性從n型變更成p型就能夠實現高耐壓、大電流組件,但是,IGBT 在本質上為雙及組件(BIPOLAR DEVICE),對于單及組件(UNIPOLAR DEVICE)POWER MOSFET 世代的技術人員而言較為難以了解。近年來,雙極晶體管(BIPOLAR TRANSISTOR)的基礎知識以及以往所累積的寶貴經驗重新受到重視,這是有趣的現象(本來,電子之技術革新有全盤推翻以往所有技術的趨勢)。

        進入1990年代后,POWER MOSFET及IGBT等MOS系組件取雙極系組件(SCR〔閘流體〕、BJT〔雙極接合型晶體管〕)之地位而代之,如今已成為大功率組件(POWER DEVICE)之主流,其主要原因是,MOS系集成電路如今已成為IC 的主流了。隨著手提型計算器及計算機等之迅速普及,為了節省消耗功率而延長電池之使用時間,性能稍差但省電的MOS IC頓時成為時代之寵兒。同時,導入先進之IC微細加工技術之后使得大功率組件之性能大幅提高。

         

        POWER MOSFET之特征

        第一個進入市場的MOS系大功率組件是POWER MOSFET,當初之高耐壓MOSFET的功率損失(POWER LOSS)很大,而且,驅動方法與以往不同,因而為電路設計老手所排斥。不過,其高頻特性十分優秀,不易破壞在低電源電壓下動作時之功率損失(POWER LOSS)遠低于以往之組件,因此,發揮其優點的應用技術逐漸普及,以緩慢而穩定的速度擴展市場。尤其是隨著使用電池電源之攜帶型電子機器的迅速發展,POWER MOSFET扮演著十分重要的角色。838電子

        POWER MOSFET的弱點是高耐壓化后之功率損失激增。使用市電AC電源之電子裝置所使用的POWER MOSFET的耐壓必須高達500~1000V左右,在此高壓領域內,在動作原理上,其功率損失較雙極(BIPOLAR)系大功率組件為大。如果將組件之芯片尺寸(CHIP SIZE)加大時能夠降低功率損失,但是會增加成本(在比較組件之電氣性能及價格時以相同大小之芯片的條件作比較)。

         IGBT的特征

        和POWER MOSFET的比較,IGBT(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)在耐壓600V以上之領域的功率損失相當低。IGBT的輸出部分屬于雙極組件,具有以往之雙極晶體管(BJT:BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)的優點與缺點,雖然可以藉IC之設計技術提高BJT之性能,但是,無法根本解決BJT的電荷存儲時件(STORAGE TIME)問題(BJT在OFF時需耗費較長時間),因此,在需要作高速開關動作(HIGH SPEED SWITCHING)之領域較不適合使用IGBT,但是,在使用AC市電驅動之場合(例如驅動馬達等之場合),在高電壓大功率之應用領域內使用IGBT的效率遠較POWER MOSFET為高。

        分立型半導體組件(DISCRETE SEMICONDUCTOR)將來生存之必需條件是必須能夠以和制作IC相同的設備來制造(IC之生產量為大功率組件的10倍以上),而POWER MOSFET以及IGBT均具備此條件。

         MOS系大功率組件之分類

        大功率組件(POWER DEVICE)可依以下數點加以分類:1動作原理、2使用目的、3組件材料之種類、4截面形狀、5組件基片材料(SUBSTRATE MATERIAL)之極性以及外加電極性、6容許消耗功率及外殼封裝。

        此外對于POWER MOSFET加以細分追加以下數項分類:7表面形狀、8偏壓(BIAS)之方法、9閘極(GATE)構造、10組件內部之電流流動方式。

        依動作原理而分類

         

        傳輸電流之媒體有兩種,一種是以一種載子(CARRIER)傳輸電流的媒體,稱為單極組件(UNIPOLAR ELEMENT);另外一種是以二種載子傳輸電流的媒體,稱為雙極組件(BIPOLAR ELEMENT)。前者之具體實例為FET(FIELD EFFECT TRANSISTOR),后者則有BJT(BI JUNCTION TRANSISTOR)及SCR(SILICON CONTROLLED RECTIFIER)等。如圖所示為這些大功率組件的構造簡圖。這些組件均有3個端子,在組件內部有2~3個PN接合存在。FET和BJT內部的PN接合十分相似(不過,FET為縱向接合,BJT則為橫向接合),不過,兩者之動作原理完全不同,FET自始就只有一個通道(CHANNEL)存在,換句話說,泄極(DRANIN)和源極(SOURCE)間處于導通狀態。反之BJT之場合,在射極(EMITTER)和集極(COLLECTOR)之間至少有一個逆方向PN接合二極管存在,此逆向二極管將電流予以阻絕。SCR由二個BJT構成,SCR顧名思意為整流器,電流僅從陽極往陰極方向作單向流通。如果利用SCR來直接控制正負變化之交流時,所能控制之范圍為0~50%。將兩個SCR作反向并聯連接以擴大控制范圍,這就是“TRIAC”電流能夠雙方向流通(如圖示)。

         

        POWER MOSFET與IGBT之關系

        IGBT(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)乃是MOSFET與BJT的復合組件。MOSFET與SCR之復合組件稱為MCT(MOS CONTROLLED THYRISTOR),如表所示為各種大功率組件的動作速度與電流密度的比較。和單極組件POWER MOSFET比較,雙極組件IGBT及MCT能夠藉傳導度調變提高電流密度。但是,提高電流密度之后難以令其OFF(TURN OFF),于是,電流密度較IGBT為高的MCT的OFF速度更慢。不過,雙極組件的ON速度和MOSFET并無太大差異。

         

        接合型FET與MOS型FET因閘極構造之不同,FET可分為接合型與MOS型兩大類。接合型FET的閘極藉PN接合與源極、泄極分離。在PN接合界面之處經常形成一種稱為“空乏層”(DEPLETION LAYER)的絕緣領域,空乏層之厚度隨著施加于接合上之電壓的極性及大小兒增減變化。MOS型FET之場合,閘極與源極及泄極之間隔著SiO2等之絕緣膜兒完全分離。在穩定狀態下,流過閘極絕緣膜之電流很小,只有1nA左右。

         使用時之注意事項838電子

        MOS系組件在使用時必須注意避免遭受靜電破壞(雙極系組件較無此項顧慮)。

        (a) 包裝與搬運

        采取妥善之包裝方式以免搬運MOSFET之時在閘極—源極間產生靜電。如果是塑料封裝(PLASTIC PACKAGE)之MOSFET的場合,只要將其裝入導電性袋子內即可。如果是金屬封裝之場合,必須使用導電性托盤(TRAY),并注意引線端子不要接觸到非導電部。

        不使用時不要打開MOSFET之包裝。

        作業人員之人體及衣服必須接地以泄放所帶之靜電。

        拿取MOSFET時抓外殻封裝本體,不可接觸其引線端子。

        作試驗或組裝時所用之裝置一定要接地。

        (b)作業環境

        在原理上,能夠對整個作業環境實施靜電防止措施,不過,針對各個作業臺分別實施靜電對策較為合理,此時,必須遵守的一般原則如下:

        令桌面帶有中度之導電性,并予以接地。

        令地板亦同樣地帶有中度之導電性,并予以接地。

        人體亦須接地。

        (c)相對濕度

        濕度越高越容易泄放靜電(靜電之漏電越大),因此,作業環境之相對濕度必須保持在50%以上。當相對濕度超過70%時,幾乎完全不會產生靜電。

        (d)作業人員之指導

        特別是整個作業環境未實施靜電防止對于策之場合,對于作業人員之注意事項也各有不同,必須定期地徹底指導各作業人員。主要項目如下:

        作業服裝之穿戴。

        接地睕帶之佩帶。

        在打開包裝取零件時必須先將人體予以接地放電。

        僅可在已經經由電阻接地之場所作業。

        區別可能帶電的物品(黏貼帶、橡皮蓋、塑料膜)。

        區別已實施靜電防止之場所及未實施之場所。

        (e)測試電路內之保護對策

        測試裝置一定要接地。

        在將受測組件架上測試裝置之前必須先將試驗電壓歸零。

        使用特性曲線瞄繪儀(CURVE TRACER)時,為了防止寄生振蕩,在受測MOSFET之閘極上串聯100Ω以上之電阻。

        在測試MOSFET時,所有之端子均必須配線(不可任其開路)。

        在改變測試條件時,必須先將外加電壓及電流歸零。

        ※參考Power(大功率)MOSFET/IGBT應用設計技術

         


        日本三级欧美三级人妇视频黑白配,日本三级香港三级三级人!妇久,日本三级欧美三级人妇视频_电影